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Samsung, Gate All Around per sostituire i transistor FinFET

Samsung mette nel mirino i 3 nanometri. L'azienda ha annunciato nel corso del Foundry Forum che la prima versione alpha del Product Design Kit (PDK) a 3 nanometri è pronta per i clienti, che così possono iniziare a progettare i chip del futuro grazie a regole di design e ottimizzazioni per ottenere la migliore efficienza. [...] … continua →

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